Технические характеристики

Форм-фактор	HHHL
Емкость накопителя, ТБ	3,2
Тип флэш-памяти	Enterprise TLC
Случайное чтение ,iops	до 1,000,000
Случайная запись ,iops	до 180,000
Последовательное чтение ,МБ/сек	до 6200
Последовательная запись ,МБ/сек	до 3000
Ресурс ,Endurance	5 DWPD на 5 лет
Интерфейс	PCI Express Gen3 x 8, NVMe
Энергопотребление ,Вт	Активный макс. 21 Вт, холостой ход: 7,5 Вт
Samsung Part Number	MZPLL3T2HMLS-000D3